库尔勒工业气体：超高纯氨也是MOCVD生产第三代化合物半导体材料氮化镓(GaN)的关键支撑材料。MOCVD制备氮化镓(GaN)要求使用的氨气必须是高纯超净的，纯度等级为7N(99.99999%)。由于技术瓶颈和技术壁垒，我国高纯氨的纯度一直高达6.0N，难以满足GaN生长技术的要求。随着我国“国家半导体照明工程”的启动，对GaN关键配套材料的需求更加迫切。因此，突破GaN用超纯氨的提纯技术，实现超纯氨的规模化生产，替代进口产品势在必行。超纯氨是薄膜**基本的成膜源，氧分子(O2)、水(H2O)和CO2是非常有害的杂质，会导致沉积和生长的金属和金属化合物活性膜质量下降。超纯氨中的金属杂质对化合物半导体材料的制备危害极大，是影响其光电性能的关键因素之一。去除超纯氨中的氧分子(O2)、水(H2O)和金属杂质，使总杂质含量降至0.1ppm以下，是国际气体净化的难题，项目实施过程中需要解决的关键技术包括:1.净化技术:半导体领域使用的高纯气体纯度极高，尤其是影响半导体材料生长的氧、水等杂质的含量必须达到ppm-ppb级。针对原料气的杂质含量和理化性质，以高效吸附和高效精馏为主要净化方法，开发了选
